收藏本站
型号 IPB13N03LB G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
IPB13N03LB G PDF
代理商 IPB13N03LB G
产品变化通告 Product Discontinuation 04/Jun/2009
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 12.5 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 11nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1355pF @ 15V
功率 - 最大 52W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 P-TO263-3
包装 剪切带 (CT)
其它名称 IPB13N03LBGINCT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB13N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
IPB144N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
IPB144N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
IPB144N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
IPB147N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
IPB14N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
IPB14N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
IPB14N03LAT Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
IPB160N04S2-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB160N04S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB160N04S3-H2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB160N04S3-H2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB160N04S3-H2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB16CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
IPB180N03S4L-01 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
IPB180N03S4L-H0 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
IPB180N04S3-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB180N04S3-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB180N04S3-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB180N04S4-00 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3